Discharging high-voltage capacitor arrays into battery-backed SRAM registers to instantaneously destroy master keys upon physical breach.
La implementación técnica de Destructive Physical Zeroization requiere límites de silicio dedicados para prevenir fugas de memoria y canales laterales.
La conformidad con FIPS 140-3 garantiza que Destructive Physical Zeroization resista intrusiones físicas invasivas y ataques de inyección de fallas.