Discharging high-voltage capacitor arrays into battery-backed SRAM registers to instantaneously destroy master keys upon physical breach.
A implementação técnica de Destructive Physical Zeroization exige fronteiras dedicadas em silício, prevenindo vazamentos de memória e canais laterais em threads concorrentes.
A conformidade com FIPS 140-3 e Common Criteria garante que Destructive Physical Zeroization resista a sondagens físicas invasivas, ataques criogênicos e injeção de falhas.